miércoles, 4 de mayo de 2011

Intel Da A Conocer La Nueva Estructura De Transistor 3D

SAN FRANCISCO: - Intel dice que está listo para poner los 3 primeros pasos para la estructura del transistor "D" en la producción de alto volumen.
La estructura que ha inventado se llama Tri-Gate y se utilizó por primera vez en los chips fabricados con los 22 nanómetro de proceso, conocido como Ivy Bridge. Continuando por el camino de la Ley de Moore, hubiera
sido difícil a menos que algo hubiese cambiado drásticamente, por otra parte el Señor: Fellow Mark Bohr en Intel dio a conocer hoy en una conferencia de prensa en el Centro Urbano ESTÍMULO que en vez de formar el canal conductor sobre una superficie plana, es ponerlo en tres lados de un 3D "aleta". La principal ventaja proviene de la puerta de envolver alrededor de la aleta, dijo Bohr.
La nueva estructura permite a Intel fabricar pequeños y más rápidos, los chips de bajo voltaje y ponerlas en dispositivos aún más pequeños. Además de la tensión más baja, las fichas se ejecutará con salida de la energía más baja, lo cual debe mejorar el rendimiento y la eficiencia energética.
Los 22 chips basados​nm-traerá un aumento del 37 por ciento de energía sobre la línea actual de Intel de 32 nm de chips, según Intel. transistores tri-gate puede agregar 2 a 3 por ciento del costo de la producción de cada oblea. Para adaptarse a la nueva tecnología, Intel va a actualizar sus fábricas a lo largo de este año y en 2012.

No hay comentarios:

Publicar un comentario

Deja tu comentario:

Related Posts Plugin for WordPress, Blogger...